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EMI指干扰或以其他方式干扰授权电气设备有效性能的任何电磁干扰。由于涉及隔离器，辐射和传导EMI通常是高频开关电路（及其谐波）耦合到其他电路和/或环境中的产物。辐射EMI类似于广播，因为它通过自由空间从发射机传播到接收机，而传导EMI则沿着导体传播。FCC对传导和辐射EMI都设定了限制，并且给定类别的所有设备都必须符合要求。
各认证机构发布的规范对传导和辐射EMI进行了限制；FCC第15部分是较为常见的规范之一，该部分涵盖了家庭内部或附近使用的电路组件。本规范的测试在露天环境中进行，使用距离地面约5米的10米天线。另一个规范SAEJ1752-3的测试方法更以IC为中心，建议将待测试的IC安装在小型电路板上，然后在实际应用环境中运行时测量电路板的辐射发射。
为了预先符合FCC B类第15部分的要求，使用TEM电池法根据SAE J1752-3对Si866x进行了测试。TEM单元测试板包含一个6通道CMOS数字隔离器，所有输入连接在高位，以最大限度地提高内部发射机的发射。图14A-14D中的EMI图显示了6个通道的总发射。这项独立进行的测试表明，CMOS数字隔离器将通过FCC B类第15部分，因为隔离器主要通过场抵消内部差分信号路径、隔离电容的大小以及低功率主振荡器的设计来实现低EMI操作。（请注意，图中的低频噪声是由测试仪噪声而非CMOS数字隔离器引起的。）
部分摘要：除了 Silicon Labs Si8xxx 系列之外，光耦合器的 EMI 可能是所有硅基隔离器中最低的。 这些 CMOS 数字隔离器通过了 FCC B 类第 15 部分，并具有行业领先的 EMI 性能。
1 射频抗扰度：
射频抗扰度是指隔离器能够抑制强的局部电磁场，从而保持无差错的数据传输。直观地说，可以假设环境射频场会干扰CMOS数字隔离器的内部高频数据传输。然而，CMOS数字隔离器凭借其设计表现出极高的外部射频抗扰度。
局部场在CMOS数字隔离器的内部信号路径内感应共模电压，由于内部差分信号路径两侧的信号电平紧密匹配，该共模电压被CMOS数字隔离器的差分隔离信号路径和高接收器选择性的组合所拒绝。这种结构导致接收器差分输入端的共模电压被拒绝。然后，接收器仅在非常窄的频带内放大差分输入电压，并拒绝所有其他输入。总之，这些机制可以抑制来自各种外部场的干扰，并实现非常高的CMTI和稳健的操作，即使在电噪声环境中也是如此。
CMOS数字隔离器可用于大型电机和其他磁场产生设备附近。如果磁场太m6体育/或离隔离器太近，理论上可能会发生数据传输错误。然而，在实际使用中，CMOS数字隔离器对外部磁场具有极高的抗扰度，并且经过独立评估，能够承受至少1000 A/米的磁场（根据IEC 61000-4-8和IEC 61000-4-9）。如图15所示，通过距离CMOS数字隔离器0.1米的0.1米导体，可以产生107安培的磁场。在任何操作环境中都不太可能发现这种情况。这样的电场极有可能在损坏CMOS数字隔离器隔离栅电路之前破坏周围电路。
虽然光耦提供了固有外场抗扰性的独特优势，但由于内部差分信号路径两侧的信号电平紧密匹配，CMOS数字隔离器通过其高接收器选择性表现出几乎等效的场抑制。